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IRF9Z14L中文资料

  • 大小:361.79KB
  • 厂家:
  • 描述:HEXFET? Power MOSFET
  • 数据列表:IRF9Z14
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:-
  • FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:500 毫欧 @ 4A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:12nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:270pF @ 25V
  • 功率 - 最大:3.7W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
  • 供应商设备封装:I2PAK
  • 包装:管件
  • 其它名称:*IRF9Z14L

IRF9Z14L供应商

更新时间:2023-01-27 17:08:56
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